第二代HighK Intel 32nm工艺完成研发

    Intel宣布,下一代32nm半导体生产工艺的研发阶段已经顺利完成,将于2009年第四季度如期投产。


    Intel计划在下周旧金山国际电子设备大会(IEDM)上公布32nm工艺的技术细节,另外Intel还会给出相关论文和报告,介绍新工艺使用的第二代高K介质金属栅极技术、193nm沉浸式光刻技术、增强型晶体管应变技术,它们都将继续提高Intel处理器的性能和能效。Intel称,其32nm技术在业界内拥有最高的晶体管性能和最大的晶体管密度。


    如果能在明年底投产并发布32nm Westmere处理器,这将是Intel连续四年贯彻Tick-Tock策略,即每隔一年交替升级生产工艺和微架构。从2007年到2009年,Intel在这种策略的指导下相继推出了65nm Core、45nm Penryn、45nm Nehalem三个系列的新产品,接下来的Westmere就是Nehalem架构的工艺升级版,再往后2010年底的Sandy Bridge又是基于32nm工艺的新架构了。


    AMD也曾在不久前提出进军32nm,不过时间要等到2010年上半年,比Intel稍晚一些。


    Intel还将在IEDM上介绍45nm工艺的低功耗SoC片上系统、基于化合物半导体的晶体管、改进45nm晶体管性能的衬底工程、45nm和更先进工艺的化学机械抛光集成、集成硅光电子调节器阵列等等课题。此外Intel还会参加一个22nm CMOS技术的短期课程。

转载请注明:王中王鉄算盘开奖资料_济公网 » 第二代HighK Intel 32nm工艺完成研发

喜欢 (0)
发表我的评论
取消评论
表情

Hi,您需要填写昵称和邮箱!

  • 昵称 (必填)
  • 邮箱 (必填)
  • 网址